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七台河耗尽型n沟道场效应管原理

  微碧半导体成立于2003年春,是一家集场效应管的芯片开发、封装生产、销售服务为一体的创新型民营企业,企业以微碧品牌系列产品为核心,积极批量开发、并根据不同客户要求,为客户量身定制高、中、低压场效应管;

  功率MOS管自身拥有众多优点,但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力,特别是在高频的应用场合,所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。功率MOS管保护电路主要有以下几个方面:1)防止栅极di/dt过高:由于采用驱动芯片,其输出阻抗较低,直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断,有可能造成功率管漏源极间的电压震荡,或者有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生,通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻,电阻的大小一般选取几十欧姆。

  (1)Rdson限制线Rdson限制线是Vds和Ids的函数,这天直线的斜率就是MOSFET的大Rdson(Vgs=10V,Tj=150℃),因此Rdson限制线可以由下式给出:MOSFET,MOSFET应用参数由上式可知:因为随着Vgs降低Rdson会增加,因此对于较低的Vgs,Rdson限制线会向下移动。

  企业主要产品的封装有:SOP-8、TO-220(F)、TO-263、TO-247、TO-252、TO-251、SOT-23、SOT-223、SOT-89、QFN等系列封装产线,广泛应用于无人机、快充、通讯、小家电、家电控制板、电脑主板显卡、MP3MP4MP5PMP播放器,MIDUMPC、GPS、蓝牙耳机、PDVD、车载DVD、汽车音箱、液晶显示器、移动电源、手机电池(锂电池保护板)、LED电源等产品,十多年来,企业历尽风霜雪雨,赢得了广大客户的信赖和支持!

  3、二极管正向压降:二极管导通时,在规定的IF下测到的MOSFET源漏极间压降。4、反向恢复时间:反向恢复电荷完全移除所需要的时间。5、反向恢复电荷:二极管导通期间存储在二极管中的电荷。二极管完全恢复到阻断状态之前需要移除这些存储的电荷。开关是电流变化的速率越大(di/dt),存储的反向恢复电荷就越多。

  MOSFET,MOSFET应用参数MOSFET应用参数理论分析MOSFET应用参数理论着重分析,下文会从各个方面来解析MOSFET的应用参数。MOSFET是开关电源中的重要元器件,也是比较难掌握的元器件之一,尤其在LLC,LCC软开关的设计中,对于MOSFET元器件本身的理解尤其重要,理解透彻了,也就应用自如了。

  场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路;某次场效应管的开关速度比较迅速,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应;另外场效应管没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低,还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。场效应已经得到了大量应用,在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。

  MOSFET,MOSFET应用参数温度系数由正温度系数变为负温度系数理论上是两个参数互相竞争的结果。一方面Rdson随着温度的升高而变大,另一方面Vth随着温度的升高而减小,在温度较高的时候,Rdson起主导,因此温度升高,电流减小。温度较低的时候,Vth起主导。温度升高,电流升高。温度的不稳定区域发生在Vgs小于ZTC对应的临界点,ZTC是MOSFET跨导的函数,MOSFET的跨导越大,ZTC对应的Vgs也越高。而现在的MOSFET的工艺,尤其是CoolMos或者DTMOS,跨导会越来越大,因此对于Vgs的设计也至关重要。

  MOSFET,MOSFET应用参数根据大结温和热阻,可以推算出MOSFET可以允许的大功耗。MOSFET,MOSFET应用参数归算到环境温度的热阻是布板,散热片和散热面积的函数,如果散热条件良好,可以极大提升MOSFET的功耗水平。(二)漏极(沟道)电流规格书中会定义大持续漏极电流和大脉冲电流,如下图。一般规格书中大脉冲电流会定义在大持续电流的4倍,并且随着脉冲宽度的增加,大脉冲电流会随之减少,主要原因就是MOSFET的温度特性。